Framleiðandi Vöru númer:
TSM80N1R2CL
Product Overview
Framleiðandi:
Taiwan Semiconductor Corporation
Völu númer:
TSM80N1R2CL-DG
Lýsing:
800V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Birgðir:
12999364
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TSM80N1R2CL Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Taiwan Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
685 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
110W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
I2PAK
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
TSM80
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,000
Önnur nöfn
1801-TSM80N1R2CL
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXFY13N60X3
DISCRETE MOSFET 13A 600V X3 TO25
IXFY12N65X3
DISCRETE MOSFET 12A 650V X3 TO25
IXFH28N60X3
DISCRETE MOSFET 28A 600V X3 TO24