Framleiðandi Vöru númer:
TSM60NB600CH
Product Overview
Framleiðandi:
Taiwan Semiconductor Corporation
Völu númer:
TSM60NB600CH-DG
Lýsing:
600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Birgðir:
12998465
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
TSM60NB600CH Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Taiwan Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
516 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
63W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-251 (IPAK)
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grunnvörunúmer
TSM60
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
15,000
Önnur nöfn
1801-TSM60NB600CH
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPSA70R600P7SAKMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPSA70R600P7SAKMA1-DG
Einingaverð
0.27
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPT65R155CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW
TSM190N08CZ
75V, 190A, SINGLE N-CHANNEL POWE
TSM9409CS
-60V, -3.5A, SINGLE P-CHANNEL PO