Framleiðandi Vöru númer:

TSM2NB60CH

Product Overview

Framleiðandi:

Taiwan Semiconductor Corporation

Völu númer:

TSM2NB60CH-DG

Lýsing:

600V, 2A, SINGLE N-CHANNEL POWER

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 600 V 2A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Birgðir:

RFQ á netinu

12998747

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

TSM2NB60CH Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Taiwan Semiconductor

Pakkning

Tube

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

600 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

4.4Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

9.4 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±30V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

249 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

44W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

TO-251 (IPAK)

Pakki / hulstur

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Grunnvörunúmer

TSM2

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

15,000

Önnur nöfn

1801-TSM2NB60CH

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

good-ark-semiconductor

SSF6092G1

MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.7A, 60V,

TSM500N15CS

150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE

TSM650N15CR

150V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE

vishay-siliconix

SIRS4401DP-T1-GE3

P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE