STWA30N65DM6AG
Framleiðandi Vöru númer:

STWA30N65DM6AG

Product Overview

Framleiðandi:

STMicroelectronics

Völu númer:

STWA30N65DM6AG-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 284W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads

Birgðir:

690 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12966823
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

STWA30N65DM6AG Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2000 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
284W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247 Long Leads
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
STWA30

Aukainformation

Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
497-STWA30N65DM6AG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
toshiba-semiconductor-and-storage

TPH1R306P1,L1Q

MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

vishay-siliconix

SIJ128LDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

microsemi

JANTXV2N6768

MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE

infineon-technologies

IPD088N06N3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3