Framleiðandi Vöru númer:
STW8NB100
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STW8NB100-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 1000V 7.3A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1000 V 7.3A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Birgðir:
12877246
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STW8NB100 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
-
Röð
PowerMESH™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1000 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.45Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
190W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
STW8N
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
497-2646-5
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FQH8N100C
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
FQH8N100C-DG
Einingaverð
2.32
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STF12NM50N
MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
STL4P2UH7
MOSFET P-CH 20V 4A POWERFLAT
STD60NF06T4
N-channel 60 V, 0.014 Ohm typ.,