Framleiðandi Vöru númer:
STW60NE10
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STW60NE10-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247-3
Birgðir:
12879150
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STW60NE10 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
-
Röð
STripFET™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5300 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
180W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
STW60N
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
497-2643-5
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXTQ75N10P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
3
HLUTARNÁMR
IXTQ75N10P-DG
Einingaverð
2.44
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXTH110N10L2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXTH110N10L2-DG
Einingaverð
12.20
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STB36NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
STWA45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
STF28N60M2
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP