Framleiðandi Vöru númer:
STQ1HNK60R-AP
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STQ1HNK60R-AP-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Birgðir:
7445 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12878150
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STQ1HNK60R-AP Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tape & Box (TB)
Röð
SuperMESH™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
400mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
156 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-92-3
Pakki / hulstur
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Grunnvörunúmer
STQ1HNK60
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
497-15648-1
STQ1HNK60R-AP-DG
497-15648-3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
STL6P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
STL10N65M2
MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
STW13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A TO247
