Framleiðandi Vöru númer:
STP35N65DM2
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STP35N65DM2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
12876724
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STP35N65DM2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tube
Röð
MDmesh™ DM2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
56.3 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2540 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
250W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
STP35
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STW35N65DM2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
360
HLUTARNÁMR
STW35N65DM2-DG
Einingaverð
3.01
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
FCP130N60
FRAMLEIÐANDI
Fairchild Semiconductor
Fjöldi í boði
127
HLUTARNÁMR
FCP130N60-DG
Einingaverð
2.72
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STP80NF06
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
STF26NM60N-H
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
STW6N95K5
MOSFET N-CH 950V 9A TO247-3
