Framleiðandi Vöru númer:
STP12NM50N
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STP12NM50N-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
12874730
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STP12NM50N Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
-
Röð
MDmesh™ II
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
940 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
100W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
STP12
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
497-4818-5
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF830PBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
9086
HLUTARNÁMR
IRF830PBF-DG
Einingaverð
0.53
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRF830APBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
5605
HLUTARNÁMR
IRF830APBF-DG
Einingaverð
0.59
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRFB11N50APBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
2122
HLUTARNÁMR
IRFB11N50APBF-DG
Einingaverð
0.98
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRF830LPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IRF830LPBF-DG
Einingaverð
0.99
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STF7N105K5
MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP
STB200NF04L-1
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
STF8NK85Z
MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220FP
