Framleiðandi Vöru númer:
STF12NM60N
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STF12NM60N-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Birgðir:
12874645
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STF12NM60N Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
-
Röð
MDmesh™ II
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
410mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
960 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
25W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220FP
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
STF12
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
STF12NM60N-DG
497-7466-5
-497-7466-5
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SIHA12N60E-E3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
923
HLUTARNÁMR
SIHA12N60E-E3-DG
Einingaverð
0.99
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
R6011ENX
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
494
HLUTARNÁMR
R6011ENX-DG
Einingaverð
1.27
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STF13NM60N
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
1174
HLUTARNÁMR
STF13NM60N-DG
Einingaverð
1.77
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
R6011KNX
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
418
HLUTARNÁMR
R6011KNX-DG
Einingaverð
0.74
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STB30NF20L
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
PMV90EN,215
MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
STP17N62K3
MOSFET N-CH 620V 15.5A TO220AB
