Framleiðandi Vöru númer:
STD6NM60N
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STD6NM60N-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK
Birgðir:
12878290
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STD6NM60N Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
MDmesh™ II
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
920mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
420 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
45W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DPAK
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
STD6N
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPD80R1K2P7ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
14924
HLUTARNÁMR
IPD80R1K2P7ATMA1-DG
Einingaverð
0.40
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
TSM60NB900CP ROG
FRAMLEIÐANDI
Taiwan Semiconductor Corporation
Fjöldi í boði
2480
HLUTARNÁMR
TSM60NB900CP ROG-DG
Einingaverð
0.64
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STB185N55F3
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
STK822
MOSFET N-CH 25V 38A POLARPAK
STP38N65M5
MOSFET N-CH 650V 30A TO220
