Framleiðandi Vöru númer:
STD12N65M2
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STD12N65M2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Birgðir:
2088 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12878557
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STD12N65M2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
MDmesh™ M2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
535 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
85W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DPAK
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
STD12
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
497-15458-2
497-15458-1
497-15458-6
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPD80R600P7ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
5056
HLUTARNÁMR
IPD80R600P7ATMA1-DG
Einingaverð
0.60
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXTY8N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
20
HLUTARNÁMR
IXTY8N65X2-DG
Einingaverð
1.22
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
FCD7N60TM-WS
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
2500
HLUTARNÁMR
FCD7N60TM-WS-DG
Einingaverð
0.85
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STW17N62K3
MOSFET N-CH 620V 15.5A TO247-3
STB7N52K3
MOSFET N-CH 525V 6A D2PAK
STW27N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
