Framleiðandi Vöru númer:
STD11N65M2
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STD11N65M2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Birgðir:
98 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12874404
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STD11N65M2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
MDmesh™ II Plus
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
670mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
410 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
85W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DPAK
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
STD11
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
-497-15048-6
497-15048-6
497-15048-2
-497-15048-1
-497-15048-2
497-15048-1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXTY4N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
70
HLUTARNÁMR
IXTY4N65X2-DG
Einingaverð
1.07
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STD13N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STE145N65M5
MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
STF26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
