Framleiðandi Vöru númer:
STB80NF55-06-1
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STB80NF55-06-1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Birgðir:
12872343
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STB80NF55-06-1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
-
Röð
STripFET™ II
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
189 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4400 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
I2PAK
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
STB80
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
STB80NF55-06-1-DG
-497-16196-5
497-16196-5
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
BUK9606-55A,118
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
28
HLUTARNÁMR
BUK9606-55A,118-DG
Einingaverð
2.37
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
PSMN3R3-80ES,127
FRAMLEIÐANDI
NXP USA Inc.
Fjöldi í boði
1415
HLUTARNÁMR
PSMN3R3-80ES,127-DG
Einingaverð
1.35
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRF3205ZLPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
3938
HLUTARNÁMR
IRF3205ZLPBF-DG
Einingaverð
0.67
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
PMV117EN,215
MOSFET N-CH 30V 2.5A TO236AB
STL12N60M2
MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
STF33N65M2
MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
