Framleiðandi Vöru númer:
STB30NM60ND
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STB30NM60ND-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Birgðir:
12877631
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STB30NM60ND Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
-
Röð
FDmesh™ II
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2800 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
190W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
STB30N
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
497-8475-6
497-8475-2
-497-8475-1
-497-8475-2
497-8475-1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STB32N65M5
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
1000
HLUTARNÁMR
STB32N65M5-DG
Einingaverð
5.37
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
SIHB28N60EF-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1229
HLUTARNÁMR
SIHB28N60EF-GE3-DG
Einingaverð
2.59
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IPB60R125CPATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1762
HLUTARNÁMR
IPB60R125CPATMA1-DG
Einingaverð
3.04
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STS8N6LF6AG
MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO
STF6N60DM2
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
STF33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
