Framleiðandi Vöru númer:
STB2N62K3
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STB2N62K3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 620 V 2.2A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
634 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12870487
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STB2N62K3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
-
Röð
SuperMESH3™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
620 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
340 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
45W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
STB2N
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
-497-12971-6
497-12971-6
497-12971-2
497-12971-1
-497-12971-2
-497-12971-1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFBC20SPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IRFBC20SPBF-DG
Einingaverð
1.12
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STD2N62K3
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
2192
HLUTARNÁMR
STD2N62K3-DG
Einingaverð
0.54
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRFBC20STRLPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
416
HLUTARNÁMR
IRFBC20STRLPBF-DG
Einingaverð
1.14
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STD7NM60N
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STP9NK65Z
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
STH320N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
