Framleiðandi Vöru númer:
STB25NM60N-1
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STB25NM60N-1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Birgðir:
12877561
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STB25NM60N-1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
-
Röð
MDmesh™ II
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2400 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
160W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
I2PAK
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
497-5730
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
TK20G60W,RVQ
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
TK20G60W,RVQ-DG
Einingaverð
1.14
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXFA22N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
250
HLUTARNÁMR
IXFA22N65X2-DG
Einingaverð
2.56
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
SIHB22N60AE-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
SIHB22N60AE-GE3-DG
Einingaverð
1.63
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STW23NM60N
MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
STFI20NK50Z
MOSFET N-CH 500V 17A I2PAKFP
STI6N95K5
NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET
