Framleiðandi Vöru númer:
STB18N60M6
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STB18N60M6-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
12872381
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STB18N60M6 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
MDmesh™ M6
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
650 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
110W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
STB18
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
497-19056-1
497-19056-2
497-19056-6
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
R6015ENJTL
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
4
HLUTARNÁMR
R6015ENJTL-DG
Einingaverð
1.65
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
R6015KNJTL
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
2982
HLUTARNÁMR
R6015KNJTL-DG
Einingaverð
1.13
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STN1N20
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
STW33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A TO247
STP80NF55
MOSFET N-CH 55V 80A TO220
