Framleiðandi Vöru númer:
STB12NM50N
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STB12NM50N-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK
Birgðir:
12877767
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STB12NM50N Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
-
Röð
MDmesh™ II
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±25V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
940 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
100W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
STB12N
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
-1138-STB12NM50NTR
-1138-STB12NM50NDKR
-1138-STB12NM50NCT
497-5781-1
497-5781-2
STB12NM50N-DG
497-5781-6
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFS11N50APBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
417
HLUTARNÁMR
IRFS11N50APBF-DG
Einingaverð
1.22
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXTA16N50P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXTA16N50P-DG
Einingaverð
2.83
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
FDB15N50
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
FDB15N50-DG
Einingaverð
1.65
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STB80NF55L-06T4
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
STB4NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
STFH10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
