Framleiðandi Vöru númer:
STB12NM50FDT4
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STB12NM50FDT4-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Birgðir:
12948743
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STB12NM50FDT4 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
FDmesh™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1000 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
160W (Tc)
Hitastig rekstrar
-65°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
STB12N
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
497-5380-6
STB12NM50FDT4-DG
497-5380-2
497-5380-1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFS11N50APBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
417
HLUTARNÁMR
IRFS11N50APBF-DG
Einingaverð
1.22
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STB12NM50T4
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STB12NM50T4-DG
Einingaverð
1.99
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXFA16N50P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFA16N50P-DG
Einingaverð
3.03
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFI9530GPBF
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220-3
C3M0032120J1
1200V 32MOHM SIC MOSFET
E3M0120090J
900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET
