Framleiðandi Vöru númer:
STB11NM60-1
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STB11NM60-1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Birgðir:
12880578
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STB11NM60-1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
-
Röð
MDmesh™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1000 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
160W (Tc)
Hitastig rekstrar
-65°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
I2PAK
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
STB11N
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
STB11NM60-1-DG
497-5379-5
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FCI7N60
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
990
HLUTARNÁMR
FCI7N60-DG
Einingaverð
1.21
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STB6N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
STU16N65M2
MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
STP200N4F3
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
