Framleiðandi Vöru númer:
STB10LN80K5
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STB10LN80K5-DG
Lýsing:
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
12872829
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STB10LN80K5 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
MDmesh™ K5
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
630mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
427 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
110W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
STB10
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
STB10LN80K5-DG
497-18732-6
497-18732-1
497-18732-2
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFA10N60P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
324
HLUTARNÁMR
IXFA10N60P-DG
Einingaverð
1.78
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRFS9N60APBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
294
HLUTARNÁMR
IRFS9N60APBF-DG
Einingaverð
1.45
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXTA10N60P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXTA10N60P-DG
Einingaverð
2.84
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STB24NM65N
MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
STF30NM60N
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
STFW2N105K5
MOSFET N-CH 1050V 2A ISOWATT