Framleiðandi Vöru númer:
SCTWA10N120
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
SCTWA10N120-DG
Lýsing:
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 110W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads
Birgðir:
500 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12876962
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SCTWA10N120 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA (Typ)
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
21 nC @ 20 V
Vgs (hámark)
+25V, -10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
300 pF @ 1000 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
110W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 200°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
HiP247™ Long Leads
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SCTWA10
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
-1138-SCTWA10N120
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
MSC360SMA120B
FRAMLEIÐANDI
Microchip Technology
Fjöldi í boði
138
HLUTARNÁMR
MSC360SMA120B-DG
Einingaverð
4.74
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STP15N95K5
MOSFET N-CH 950V 12A TO220
STB80NF55-08AG
MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK
STF17N80K5
MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
