SCT10N120H
Framleiðandi Vöru númer:

SCT10N120H

Product Overview

Framleiðandi:

STMicroelectronics

Völu númer:

SCT10N120H-DG

Lýsing:

SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2Pak-2

Birgðir:

12872417
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SCT10N120H Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
22 nC @ 20 V
Vgs (hámark)
+25V, -10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
290 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 200°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
H2PAK-2
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SCT10

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SCT10N120H-DG
497-SCT10N120HCT
497-SCT10N120HDKR
497-SCT10N120HTR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
stmicroelectronics

STD7N60DM2

MOSFET N-CH 600V 6A DPAK

stmicroelectronics

STD5NM60-1

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK

stmicroelectronics

STP17NF25

MOSFET N-CH 250V 17A TO220AB

stmicroelectronics

STP140NF55

MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB