Framleiðandi Vöru númer:
SCT10N120
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
SCT10N120-DG
Lýsing:
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™
Birgðir:
12878188
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SCT10N120 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
22 nC @ 20 V
Vgs (hámark)
+25V, -10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
290 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 200°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
HiP247™
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SCT10
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
100
Önnur nöfn
497-16597-5
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
MSC360SMA120B
FRAMLEIÐANDI
Microchip Technology
Fjöldi í boði
138
HLUTARNÁMR
MSC360SMA120B-DG
Einingaverð
4.74
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
G3R350MT12D
FRAMLEIÐANDI
GeneSiC Semiconductor
Fjöldi í boði
5904
HLUTARNÁMR
G3R350MT12D-DG
Einingaverð
2.97
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STL24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
STW15NM60N
MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
