Framleiðandi Vöru númer:
2N6660
Product Overview
Framleiðandi:
Solid State Inc.
Völu númer:
2N6660-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 1.1A (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Birgðir:
3575 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12974056
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
2N6660 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Manufacturers
Pakkning
Box
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (hámark)
±40V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
6.25W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-39
Pakki / hulstur
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
10
Önnur nöfn
2383-2N6660
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
DIGI vottun
Tengdar vörur
PJF6NA90_T0_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
NTMFS4C822NAT1G
TRENCH 6 30V NCH
NVBG015N065SC1
SIC MOS D2PAK-7L 650V
