Framleiðandi Vöru númer:
SCT4026DEC11
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
SCT4026DEC11-DG
Lýsing:
750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 750 V 56A (Tc) 176W Through Hole TO-247N
Birgðir:
4919 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12977939
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SCT4026DEC11 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
750 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 15.4mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (hámark)
+21V, -4V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2320 pF @ 500 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
176W
Hitastig rekstrar
175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247N
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SCT4026
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
846-SCT4026DEC11
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SCT3120AW7TL
SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
SCT3060AW7TL
SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
R8008ANJGTL
NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
