Framleiðandi Vöru númer:
SCT2450KEHRC11
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
SCT2450KEHRC11-DG
Lýsing:
1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 10A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-247N
Birgðir:
12995999
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SCT2450KEHRC11 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
585mOhm @ 3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 900µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
27 nC @ 18 V
Vgs (hámark)
+22V, -6V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
463 pF @ 800 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
85W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247N
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SCT2450
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
450
Önnur nöfn
846-SCT2450KEHRC11
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
CSD17381F4R
PROTOTYPE
CSD16411Q3T
PROTOTYPE
R8006KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A