Framleiðandi Vöru númer:
SCT2280KEHRC11
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
SCT2280KEHRC11-DG
Lýsing:
1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 14A (Tc) 108W (Tc) Through Hole TO-247N
Birgðir:
450 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12996667
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SCT2280KEHRC11 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
364mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.4mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
36 nC @ 400 V
Vgs (hámark)
+22V, -6V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
667 pF @ 800 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
108W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247N
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SCT2280
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
846-SCT2280KEHRC11
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
STLD126N4F6AG
DISCRETE
MCAC60N10Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
BUK7508-55A,127
NEXPERIA BUK7508-55A - 75A, 55V,
