Framleiðandi Vöru númer:
RW1E025RPT2CR
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
RW1E025RPT2CR-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Birgðir:
13524454
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RW1E025RPT2CR Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
480 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
700mW (Ta)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
6-WEMT
Pakki / hulstur
6-SMD, Flat Leads
Grunnvörunúmer
RW1E025
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
8,000
Önnur nöfn
RW1E025RPT2CRCT
RW1E025RPT2CRDKR
RW1E025RPT2CRTR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SSM6J214FE(TE85L,F
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
19745
HLUTARNÁMR
SSM6J214FE(TE85L,F-DG
Einingaverð
0.08
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
R8005ANX
MOSFET N-CH 800V 5A TO220FM
RD3H045SPTL1
MOSFET P-CH 45V 4.5A TO252
RF6E045AJTCR
MOSFET N-CHANNEL 30V 4.5A TUMT6
