Framleiðandi Vöru númer:
RW1E015RPT2R
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
RW1E015RPT2R-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Birgðir:
303 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13080619
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RW1E015RPT2R Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
-
Röð
-
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
3.2 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
230 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
400mW (Ta)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
6-WEMT
Pakki / hulstur
6-SMD, Flat Leads
Grunnvörunúmer
RW1E015
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
8,000
Önnur nöfn
RW1E015RPT2RCT
846-RW1E015RPT2RCT
846-RW1E015RPT2RTR
RW1E015RPT2RTR
846-RW1E015RPT2RDKR
RW1E015RPT2RDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RV4E031RPHZGTCR1
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
5852
HLUTARNÁMR
RV4E031RPHZGTCR1-DG
Einingaverð
0.24
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
SSM6J207FE,LF
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
3995
HLUTARNÁMR
SSM6J207FE,LF-DG
Einingaverð
0.08
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
RW1E014SNT2R
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
RCJ100N25TL
MOSFET N-CH 250V 10A LPT
IRFS614B
N-CHANNEL POWER MOSFET
