Framleiðandi Vöru númer:
RD3S100CNTL1
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
RD3S100CNTL1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 190 V 10A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-252
Birgðir:
2256 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13527389
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RD3S100CNTL1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
190 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
182mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
85W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
RD3S100
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
RD3S100CNTL1TR
RD3S100CNTL1DKR
RD3S100CNTL1CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
RSR020P05FRATL
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
RQ3E120GNTB
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
RQ3E110AJTB
MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
