Framleiðandi Vöru númer:
RD3P01BATTL1
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
RD3P01BATTL1-DG
Lýsing:
PCH -100V -10A POWER MOSFET: RD3
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 100 V 10A (Ta) 25W (Ta) Surface Mount TO-252
Birgðir:
2419 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13005655
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RD3P01BATTL1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
660 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
25W (Ta)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
RD3P01
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
846-RD3P01BATTL1TR
846-RD3P01BATTL1CT
846-RD3P01BATTL1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
MSJB11N80A-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
GSFP0449
MOSFET, P-CH, SINGLE, -50.00A, -
DI2A7N70D1K
MOSFET DPAK N 700V 1.6OHM 150C
