Framleiðandi Vöru númer:
R6535KNZ4C13
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
R6535KNZ4C13-DG
Lýsing:
650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247G
Birgðir:
356 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12967355
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
R6535KNZ4C13 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.21mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
379W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247G
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
R6535
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
846-R6535KNZ4C13
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
R6507KND3TL1
HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
RQ3P300BHTB1
NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
R6507KNXC7G
650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
