Framleiðandi Vöru númer:
R6015ENX
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
R6015ENX-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Birgðir:
23 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13526342
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
R6015ENX Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Bulk
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
910 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
40W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220FM
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
R6015
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
R6015ENXCT
R6015ENXCT-ND
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPAN80R280P7XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
23
HLUTARNÁMR
IPAN80R280P7XKSA1-DG
Einingaverð
1.32
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
TK17A80W,S4X
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
52
HLUTARNÁMR
TK17A80W,S4X-DG
Einingaverð
1.57
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IPA60R230P6XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
77
HLUTARNÁMR
IPA60R230P6XKSA1-DG
Einingaverð
1.13
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
RSQ035P03TR
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
RTF020P02TL
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3
RSJ550N10TL
MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
