Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Frakkland
Spánn
Tyrkland
Moldóva
Litháen
Noregur
Þýskaland
Portúgal
Slóvakía
LTALY
Finnland
Rússneska
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Serbía
Hvíta Rússland
Holland
Svíþjóð
Svartfjallaland
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Rúmenía
Austurríki
Belgía
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Lýðveldið Kongó
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Angóla
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Argentína
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
R6009JND3TL1
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
R6009JND3TL1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252
Birgðir:
2490 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13524213
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
P
E
W
O
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
R6009JND3TL1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
585mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
7V @ 1.38mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
22 nC @ 15 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
645 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
R6009
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
R6009JND3TL1
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
R6009JND3TL1TR
R6009JND3TL1DKR
R6009JND3TL1CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
TK10P60W,RVQ
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
5042
HLUTARNÁMR
TK10P60W,RVQ-DG
Einingaverð
1.18
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STD8N60DM2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
3630
HLUTARNÁMR
STD8N60DM2-DG
Einingaverð
0.54
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
CDM7-600LR TR13 PBFREE
FRAMLEIÐANDI
Central Semiconductor Corp
Fjöldi í boði
2239
HLUTARNÁMR
CDM7-600LR TR13 PBFREE-DG
Einingaverð
0.57
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXTY8N70X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
49
HLUTARNÁMR
IXTY8N70X2-DG
Einingaverð
1.41
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
TK8P60W5,RVQ
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
15461
HLUTARNÁMR
TK8P60W5,RVQ-DG
Einingaverð
0.60
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
RF4E060AJTCR
MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
QS5U28TR
MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5
RCD080N25TL
MOSFET N-CH 250V 8A CPT3
R6020KNZ1C9
MOSFET N-CH 600V 20A TO247