Framleiðandi Vöru númer:
IMB1AT110
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
IMB1AT110-DG
Lýsing:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Mikilvægar upplýsingar:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6
Birgðir:
13525895
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IMB1AT110 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
Bipolar (BJT), Bipolar rafeindatengingar, Forröggaðar
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Not For New Designs
Gerð smára
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Straumur - Safnari (Ic) (Max)
100mA
Spenna - Sundurliðun safnara (hámark)
50V
Viðnám - Base (R1)
22kOhms
Viðnám - Emitter Base (R2)
22kOhms
DC straumstyrkur (hFE) (mín.) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
Vce mettun (hámark) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Núverandi - Collector Cutoff (hámark)
500nA
Tíðni - Umskipti
-
Kraftur - hámark
300mW
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
SC-74, SOT-457
Birgir tæki pakki
SMT6
Grunnvörunúmer
IMB1
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RN2603(TE85L,F)
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
6000
HLUTARNÁMR
RN2603(TE85L,F)-DG
Einingaverð
0.05
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
