Framleiðandi Vöru númer:
EMH1FHAT2R
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
EMH1FHAT2R-DG
Lýsing:
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Mikilvægar upplýsingar:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Birgðir:
13520673
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
EMH1FHAT2R Tæknilegar forskriftir
Flokkur
Bipolar (BJT), Bipolar rafeindatengingar, Forröggaðar
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Not For New Designs
Gerð smára
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Straumur - Safnari (Ic) (Max)
100mA
Spenna - Sundurliðun safnara (hámark)
-
Viðnám - Base (R1)
22kOhms
Viðnám - Emitter Base (R2)
22kOhms
DC straumstyrkur (hFE) (mín.) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
Vce mettun (hámark) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Núverandi - Collector Cutoff (hámark)
-
Tíðni - Umskipti
250MHz
Kraftur - hámark
150mW
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
SOT-563, SOT-666
Birgir tæki pakki
EMT6
Grunnvörunúmer
EMH1FHAT2
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
8,000
Önnur nöfn
EMH1FHAT2RCT
EMH1FHAT2RTR
EMH1FHAT2RDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Valkostamódeli
Partanúmer
NSBC124EDXV6T1G
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
3573
HLUTARNÁMR
NSBC124EDXV6T1G-DG
Einingaverð
0.05
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
PEMH1,115
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
4000
HLUTARNÁMR
PEMH1,115-DG
Einingaverð
0.07
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
PEMD2,115
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
2902
HLUTARNÁMR
PEMD2,115-DG
Einingaverð
0.06
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
RN4983FE,LF(CT
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
3850
HLUTARNÁMR
RN4983FE,LF(CT-DG
Einingaverð
0.02
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
