Framleiðandi Vöru númer:
EMA11T2R
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
EMA11T2R-DG
Lýsing:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
Mikilvægar upplýsingar:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Birgðir:
13522808
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
EMA11T2R Tæknilegar forskriftir
Flokkur
Bipolar (BJT), Bipolar rafeindatengingar, Forröggaðar
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Not For New Designs
Gerð smára
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Straumur - Safnari (Ic) (Max)
100mA
Spenna - Sundurliðun safnara (hámark)
50V
Viðnám - Base (R1)
4.7kOhms
Viðnám - Emitter Base (R2)
47kOhms
DC straumstyrkur (hFE) (mín.) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce mettun (hámark) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Núverandi - Collector Cutoff (hámark)
500nA
Tíðni - Umskipti
250MHz
Kraftur - hámark
150mW
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Birgir tæki pakki
EMT5
Grunnvörunúmer
EMA11
Aukainformation
Venjulegur pakki
8,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RN2706JE(TE85L,F)
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
3000
HLUTARNÁMR
RN2706JE(TE85L,F)-DG
Einingaverð
0.05
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
RN2906,LF
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
5268
HLUTARNÁMR
RN2906,LF-DG
Einingaverð
0.03
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
