BSS670T116
Framleiðandi Vöru númer:

BSS670T116

Product Overview

Framleiðandi:

Rohm Semiconductor

Völu númer:

BSS670T116-DG

Lýsing:

NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 650mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3

Birgðir:

560 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12989117
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

BSS670T116 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
650mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
680mOhm @ 650mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 10µA
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
47 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
200mW (Ta)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SST3
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
846-BSS670T116TR
846-BSS670T116DKR
846-BSS670T116CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
taiwan-semiconductor

BSS138 RFG

50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW

goford-semiconductor

GT105N10K

MOSFET, N-CH, 100V,60A,TO-252

epc

EPC2306

TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN

littelfuse

LSIC1MO170E0750

SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3