Framleiðandi Vöru númer:
BSM600C12P3G201
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
BSM600C12P3G201-DG
Lýsing:
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 600A (Tc) 2460W (Tc) Chassis Mount Module
Birgðir:
13520679
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSM600C12P3G201 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tray
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
600A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds á (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 182mA
Vgs (hámark)
+22V, -4V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
28000 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2460W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Chassis Mount
Birgir tæki pakki
Module
Pakki / hulstur
Module
Grunnvörunúmer
BSM600
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
4
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
ES6U2T2R
MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
ES6U41T2R
MOSFET N-CH 30V 1.5A 6WEMT
2SK2463T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
