Framleiðandi Vöru númer:
BSM180C12P3C202
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
BSM180C12P3C202-DG
Lýsing:
SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 180A (Tc) 880W (Tc) Chassis Mount Module
Birgðir:
11 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12937633
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSM180C12P3C202 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Bulk
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds á (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 50mA
Vgs (hámark)
+22V, -4V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
9000 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
880W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Chassis Mount
Birgir tæki pakki
Module
Pakki / hulstur
Module
Grunnvörunúmer
BSM180
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
12
Önnur nöfn
846-BSM180C12P3C202
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
2SJ143(6)-S6-AZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
2SK515-T1B-A
SMALL SIGNAL FET
IMBF170R650M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
