Framleiðandi Vöru númer:
UPA2766T1A-E2-AY
Product Overview
Framleiðandi:
Renesas Electronics Corporation
Völu númer:
UPA2766T1A-E2-AY-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 130A (Tc) 1.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (5x5.4)
Birgðir:
12857363
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
UPA2766T1A-E2-AY Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Renesas Electronics Corporation
Pakkning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
130A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.82mOhm @ 39A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
257 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
10850 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.5W (Ta), 83W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-HVSON (5x5.4)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
UPA2766T1A-E2-AYTR
UPA2766T1AE2AY
UPA2766T1A-E2-AYDKR
UPA2766T1A-E2-AYCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFH5301TRPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
11392
HLUTARNÁMR
IRFH5301TRPBF-DG
Einingaverð
0.42
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
CSD17559Q5
FRAMLEIÐANDI
Texas Instruments
Fjöldi í boði
1524
HLUTARNÁMR
CSD17559Q5-DG
Einingaverð
1.04
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTMFS4C35NT3G
MOSFET N-CH 30V 12.4A 5DFN
NTD3055L170G
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
NTK3134NT5H
MOSFET N-CH 20V 0.89A SOT723