UPA2706GR-E1-AT
Framleiðandi Vöru númer:

UPA2706GR-E1-AT

Product Overview

Framleiðandi:

Renesas

Völu númer:

UPA2706GR-E1-AT-DG

Lýsing:

UPA2706GR-E1-AT - MOS FIELD EFFE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 20A (Tc) 3W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Birgðir:

7500 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12976869
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
JpEd
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

UPA2706GR-E1-AT Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Renesas Electronics Corporation
Pakkning
Bulk
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
7.1 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
660 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3W (Ta), 15W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOP
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Aukainformation

Venjulegur pakki
258
Önnur nöfn
2156-UPA2706GR-E1-AT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
RoHS non-compliant
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
renesas-electronics-america

NP82N10PUF-E1-AY

NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF

renesas-electronics-america

2SK3447TZ-E

2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL

renesas-electronics-america

HAT1091C-EL-E

HAT1091C-EL-E - SILICON P CHANNE

fairchild-semiconductor

SSP45N20A

35A, 200V, 0.065OHM, N-CHANNEL M