Framleiðandi Vöru númer:
RJK2017DPP-M0#T2
Product Overview
Framleiðandi:
Renesas Electronics Corporation
Völu númer:
RJK2017DPP-M0#T2-DG
Lýsing:
ABU / MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 45A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FL
Birgðir:
12973734
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RJK2017DPP-M0#T2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Renesas Electronics Corporation
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
45A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4800 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
30W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220FL
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
25
Önnur nöfn
-1161-RJK2017DPP-M0#T2
559-RJK2017DPP-M0#T2
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BUK7E2R3-40E,127
NEXPERIA BUK7E2R3-40E - 120A, 40
PJQ5463A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJL9412_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
