NP90N04NUK-S18-AY
Framleiðandi Vöru númer:

NP90N04NUK-S18-AY

Product Overview

Framleiðandi:

Renesas Electronics Corporation

Völu númer:

NP90N04NUK-S18-AY-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 40V 90A TO262
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 90A (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Through Hole TO-262

Birgðir:

12854283
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

NP90N04NUK-S18-AY Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Renesas Electronics Corporation
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7050 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta), 176W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262
Pakki / hulstur
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Grunnvörunúmer
NP90N04

Aukainformation

Venjulegur pakki
50

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
IPI90N04S402AKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
453
HLUTARNÁMR
IPI90N04S402AKSA1-DG
Einingaverð
1.25
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IPI80N04S403AKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
498
HLUTARNÁMR
IPI80N04S403AKSA1-DG
Einingaverð
0.99
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IRFZ44ESTRR

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

onsemi

MTP10N10ELG

MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB

renesas-electronics-america

N0413N-ZK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 100A TO263

infineon-technologies

SPB160N04S2L03DTMA1

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7