Framleiðandi Vöru númer:
NP89N04NUK-S18-AY
Product Overview
Framleiðandi:
Renesas Electronics Corporation
Völu númer:
NP89N04NUK-S18-AY-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 90A TO262
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 90A (Tc) 1.8W (Ta), 147W (Tc) Through Hole TO-262
Birgðir:
12939197
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
NP89N04NUK-S18-AY Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Renesas Electronics Corporation
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5850 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta), 147W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262
Pakki / hulstur
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Grunnvörunúmer
NP89N04
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPI90N04S402AKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
453
HLUTARNÁMR
IPI90N04S402AKSA1-DG
Einingaverð
1.25
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IPI80N04S403AKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
498
HLUTARNÁMR
IPI80N04S403AKSA1-DG
Einingaverð
0.99
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
STWA67N60M6
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
SCTWA35N65G2VAG
SICFET N-CH 650V 45A TO247
STD10N60M6
MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
