Framleiðandi Vöru númer:
NP40N10YDF-E1-AY
Product Overview
Framleiðandi:
Renesas Electronics Corporation
Völu númer:
NP40N10YDF-E1-AY-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 40A 8HSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount 8-HSON
Birgðir:
12856893
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
NP40N10YDF-E1-AY Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Renesas Electronics Corporation
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3150 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1W (Ta), 120W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-HSON
Pakki / hulstur
8-PowerLDFN
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SIR876ADP-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
SIR876ADP-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.63
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
DMNH10H028SPS-13
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
DMNH10H028SPS-13-DG
Einingaverð
0.47
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
NVTFS4C08NTAG
MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
NTY100N10G
MOSFET N-CH 100V 123A TO264
NP22N055SLE-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 22A TO252
