NP35N055YUK-E1-AY
Framleiðandi Vöru númer:

NP35N055YUK-E1-AY

Product Overview

Framleiðandi:

Renesas Electronics Corporation

Völu númer:

NP35N055YUK-E1-AY-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 55 V 35A (Tc) 1W (Ta), 97W (Tc) Surface Mount 8-HSON (5x5.4)

Birgðir:

5000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12976316
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

NP35N055YUK-E1-AY Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Renesas Electronics Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3360 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1W (Ta), 97W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-HSON (5x5.4)
Pakki / hulstur
8-PowerLDFN
Grunnvörunúmer
NP35N055

Gagnaablað & Skjöl

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
559-NP35N055YUK-E1-AYCT
559-NP35N055YUK-E1-AY
559-NP35N055YUK-E1-AY-DG
-1161-NP35N055YUK-E1-AYCT
559-NP35N055YUK-E1-AYDKR
559-NP35N055YUK-E1-AYTR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
toshiba-semiconductor-and-storage

TPCP8107,LF

MOSFET P-CH 40V 8A PS-8

diodes

DMP1070UCA3-7A

MOSFET P-CH 12V 3.6A X4DSN0607-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON6108FH

MOSFET N-CH 8DFN 5X6

infineon-technologies

IPT65R060CFD7XTMA1

HIGH POWER_NEW