NP110N03PUG-E1-AY
Framleiðandi Vöru númer:

NP110N03PUG-E1-AY

Product Overview

Framleiðandi:

Renesas Electronics Corporation

Völu númer:

NP110N03PUG-E1-AY-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 110A (Tc) 1.8W (Ta), 288W (Tc) Surface Mount TO-263

Birgðir:

12860953
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

NP110N03PUG-E1-AY Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Renesas Electronics Corporation
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
24600 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta), 288W (Tc)
Hitastig rekstrar
175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
NP110N03

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
800

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
PSMN1R5-30BLEJ
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
9771
HLUTARNÁMR
PSMN1R5-30BLEJ-DG
Einingaverð
2.01
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STB200NF03T4
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
959
HLUTARNÁMR
STB200NF03T4-DG
Einingaverð
1.51
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
renesas-electronics-america

RJK6012DPP-A0#T2

MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP

renesas-electronics-america

HAT2165H-EL-E

MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK